H01L 31/00 - Полупроводниковые приборы, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, электромагнитному, коротковолновому или корпускулярному излучению, предназначенные либо для преобразования энергии такого излучения в электрическую энергию, либо для управления электрической энергией с помощью такого излучения; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы приборов (H01L 51/00 имеет преимущество; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, кроме приборов, содержащих чувствительные к излучению компоненты, в комбинации с одним или несколькими электрическими источниками света H01L 27/00; кровельные покрытия с приспособлениями для размещения и использования устройств для накопления или концентрирования энергии E04D 13/18; получение тепловой энергии с использованием солнечного тепла F24J 2/00; измерение интенсивности рентгеновского излучения, гамма-излучения, корпускулярного или космического излучения с помощью полупроводниковых детекторов G01T 1/24; с помощью резистивных детекторов G01T 1/26; измерение нейтронного излучения с помощью полупроводниковых детекторов G01T 3/08; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; получение энергии от радиоактивных источников G21H) [2,6]

---

31/02

.

конструктивные элементы [2]

31/0203

.

.

корпусы; герметизирующие средства бескорпусных приборов [5]

31/0216

.

.

покрытия [5]

31/0224

.

.

электроды [5]

31/0232

.

.

оптические элементы или приспособления, связанные с прибором [5]

31/0236

.

.

специальные поверхностные рельефы [5]

31/024

.

.

приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации [5]

31/0248

.

отличающиеся полупроводниковой подложкой [5]

31/0256

.

.

отличающиеся материалом кристалла [5]

31/0264

.

.

.

неорганическим материалом [5]

31/0272

.

.

.

.

использованием селена или теллура [5]

31/028

.

.

.

.

содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только химические элементы четвертой группы Периодической Системы [5]

31/0288

.

.

.

.

.

отличающимся легирующим веществом [5]

31/0296

.

.

.

.

содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIBVI, например CdS, ZnS, HgCdTe [5]

31/0304

.

.

.

.

содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIIIBV [5]

31/0312

.

.

.

.

содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа AIVBIV, например SiC [5]

31/032

.

.

.

.

содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения, не предусмотренные в рубриках H01L 31/0272-H01L 31/0312 [5]

31/0328

.

.

.

.

содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, полупроводниковые материалы, предусмотренные в двух или более рубриках H01L 31/0272- H01L 31/032 [5]

31/0336

.

.

.

.

.

в различных полупроводниковых областях, например гетеропереходах Cu2X - CdX, где X- элемент шестой группы Периодической Системы [5]

31/0344

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 51/00)

31/0352

.

.

отличающиеся формой или формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [5]

31/036

.

.

отличающиеся кристаллической структурой или особой ориентацией кристаллографических плоскостей [5]

31/0368

.

.

.

содержащие поликристаллические полупроводники (H01L 31/0392 имеет преимущество) [5]

31/0376

.

.

.

содержащие аморфные полупроводники (H01L 31/0392 имеет преимущество) [5]

31/0384

.

.

.

содержащие другие немонокристаллические материалы, например полупроводниковые частицы, внедренные в диэлектрик (H01L 31/0392 имеет преимущество) [5]

31/0392

.

.

.

содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки [5]

31/04

.

предназначенные для работы в качестве преобразователей [2]

31/042

.

.

содержащие панели или матрицы фотоэлектрических элементов, например солнечных элементов [5]

31/045

.

.

.

складные [5]

31/048

.

.

.

герметизированные бескорпусные или с корпусом [5]

31/05

.

.

.

отличающиеся специальными межсоединениями [5]

31/052

.

.

.

с охлаждающими, светоконцентрирующими или светоотражающими средствами [5]

31/055

.

.

.

.

в которых световое излучение поглощается и вторично излучается с отличной длиной волны при помощи концентратора, например с использованием люминесцентных материалов [5]

31/058

.

.

.

содержащие средства для использования тепловой энергии, например гибридные системы, или добавочные источники электрической энергии (использующие солнечное тепло вообще F24J 2/00) [5]

31/06

.

.

отличающиеся по меньшей мере одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером [2]

31/062

.

.

.

с потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник [5]

31/065

.

.

.

с потенциальными барьерами только с плавно изменяющейся запрещенной зоной [5]

31/068

.

.

.

с потенциальными барьерами только в виде гомоструктурного p-n-перехода [5]

31/07

.

.

.

с потенциальными барьерами только типа Шотки [5]

31/072

.

.

.

с потенциальными барьерами только в виде p-n-гетероперехода [5]

31/075

.

.

.

с потенциальными барьерами только p-i-n-типа [5]

31/078

.

.

.

содержащие потенциальные барьеры, предусмотренные в двух или более из рубрик H01L 31/062-H01L 31/075 [5]

31/08

.

в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы [2]

31/09

.

.

приборы, чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению (H01L 31/101 имеет преимущество) [5]

31/10

.

.

отличающиеся наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы [2]

31/101

.

.

.

чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению [5]

31/102

.

.

.

.

отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера [5]

31/103

.

.

.

.

.

с потенциальным барьером в виде p-n-перехода [5]

31/105

.

.

.

.

.

с потенциальным барьером p-i-n-типа [5]

31/107

.

.

.

.

.

с потенциальным барьером, работающим в лавинном режиме, например лавинные фотодиоды [5]

31/108

.

.

.

.

.

с потенциальным барьером Шотки [5]

31/109

.

.

.

.

.

с потенциальным барьером в виде p-n-гетероперехода [5]

31/11

.

.

.

.

отличающиеся наличием двух потенциальных или поверхностных барьеров, например биполярные фототранзисторы [5]

31/111

.

.

.

.

отличающиеся наличием трех потенциальных барьеров, например фототиристоры [5]

31/112

.

.

.

.

отличающиеся действием полевого эффекта, например плоскостные полевые фототранзисторы [5]

31/113

.

.

.

.

.

со структурой типа проводник-диэлектрик-полупроводник, например полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник [5]

31/115

.

.

.

приборы, чувствительные к волнам очень короткой длины, например рентгеновскому излучению, гамма-излучению или корпускулярному излучению [5]

31/117

.

.

.

.

детекторы излучения, основанные на использовании объемного эффекта, например германиево-литиевые детекторы гамма-излучения с компенсированным p-i-n-переходом [5]

31/118

.

.

.

.

детекторы, основанные на использовании поверхностного барьера, или неглубокого p-n-перехода, например детекторы альфа-частиц с использованием поверхностного барьера [5]

31/119

.

.

.

.

отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник [5]

31/12

.

связанные с одним или несколькими электрическими, например электролюминесцентными, источниками света конструктивным путем, например путем формирования на общей подложке или внутри нее, и кроме того электрически или оптически связанные с этими источниками света (полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним поверхностным или потенциальным барьером, приспособленные для излучения света H01L 33/00; электролюминесцентные элементы и фотоэлементы H03F 17/00; электролюминесцентные источники света как таковые H05B 33/00) [2,5]

31/14

.

.

с одним или несколькими источниками света, управляемыми полупроводниковыми приборами, чувствительными к излучению, например электронно-оптические преобразователи, электронно-оптические усилители изображения, электронно-оптические устройства для запоминания изображения [2]

31/147

.

.

.

полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5]

31/153

.

.

.

.

сформированные на общей подложке или внутри нее [5]

31/16

.

.

с полупроводниковым прибором, чувствительным к излучению и управляемым одним или несколькими источниками света [2]

31/167

.

.

.

полупроводниковые приборы - источники света и приборы, чувствительные к излучению - отличающиеся наличием по меньшей мере одного потенциального или поверхностного барьера [5]

31/173

.

.

.

.

сформированные на общей подложке или внутри нее [5]

31/18

.

способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей (не предназначенные специально для этих приборов H01L 21/00) [2]

31/20

.

.

приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал [5]